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哈密地區(qū)2020年第三代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展在線技術(shù)論壇

2020年第三代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展在線技術(shù)論壇

5月20日下午14:00 ---16:00

主辦：

中國電子信息博覽會（CITE2020）

協(xié)辦：

上海市集成電路行業(yè)協(xié)會

《中國電子商情》雜志社

演講題目：“Faster, Cooler, Tougher”——第三代半導(dǎo)體的機遇和挑戰(zhàn)

演講嘉賓：上海瞻芯電子科技有限公司創(chuàng)始人兼總經(jīng)理，張永熙博士

演講摘要

以GaN和SiC為代表的寬禁帶（暨第三代）半導(dǎo)體材料開始在射頻和功率領(lǐng)域挑戰(zhàn)Si材料的統(tǒng)治地位；“更快、更酷、更強悍”已經(jīng)成為第三代半導(dǎo)體器件走向市場所展現(xiàn)出的獨特優(yōu)勢，本次講座將從材料、工藝、器件、應(yīng)用幾個方面，著重介紹GaN和SiC在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域所存在的挑戰(zhàn)和機遇。

張永熙博士于2017年7月創(chuàng)辦了上海瞻芯電子科技有限公司，專注于碳化硅功率器件芯片和驅(qū)動芯片的產(chǎn)業(yè)化。張博士2000年從復(fù)旦大學碩士畢業(yè)后，加入上海貝嶺，歷任工藝工程師、注入工程部經(jīng)理和4英寸產(chǎn)線的廠長。而后，從2003年到2008年于新澤西州立大學（Rutgers University）獲得博士學位，研發(fā)了世界上第一款碳化硅功率集成電路。2008年到2017年就職于美國德州儀器（TI）模擬技術(shù)研發(fā)部，擔任功率器件和工藝集成工程師，于2016年年底入選高級主任工程師Senior Member Technical Staff（SMTS，占工程師總數(shù)比例6%）。專長LDMOS和VDMOS等核心功率器件設(shè)計和工藝集成，先后量產(chǎn)了多代BCD工藝技術(shù)。發(fā)表論文18篇，獲得美國發(fā)明專利16項、中國發(fā)明專利4項。

演講題目：安森美半導(dǎo)體SiC方案應(yīng)用于太陽能逆變器電源及電動汽車充電樁等

演講嘉賓：安森美半導(dǎo)體標準產(chǎn)品部工程師袁光明

演講摘要

現(xiàn)代可再生能源、電動/混動汽車、服務(wù)器和工業(yè)電源等高要求的應(yīng)用提出了具挑戰(zhàn)性的高能效和功率密度目標，碳化硅(SiC) 方案提供超越硅方案的性能優(yōu)勢，安森美半導(dǎo)體提供獨一無二的SiC生態(tài)系統(tǒng)，包括SiC二極管、SiC MOSFET、SiC驅(qū)動器及集成模塊，乃至廣泛的資源和工具，簡化和加速設(shè)計流程，如SPICE模型，幫助設(shè)計人員在仿真中實現(xiàn)其應(yīng)用性能而無需昂貴的測量周期。本次研討會將介紹安森美半導(dǎo)體的SiC 生態(tài)系統(tǒng)及顛覆性的SPICE建模，以及SiC用于太陽能及可再生能源、電動/混動汽車充電樁、服務(wù)器和工業(yè)應(yīng)用的方案。

袁光明(Jerry Yuan)先生是安森美半導(dǎo)體標準產(chǎn)品部的工程師，畢業(yè)于華南理工大學并獲得碩士學位。袁先生畢業(yè)后一直在半導(dǎo)體行業(yè)工作，擁有超過13年成功的產(chǎn)品開發(fā)及技術(shù)支持經(jīng)驗。

2020年第三代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展在線技術(shù)論壇